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电子元器件AO3400 AO3400A AO3401A AO3401A场效应管 N沟道MOSFET

电子元器件AO3400 AO3400A AO3401A AO3401A场效应管 N沟道MOSFET
电子元器件AO3400 AO3400A AO3401A AO3401A场效应管 N沟道MOSFET
  • 品牌:

    AOS

  • 型号:

    AO3400

  • 封装:

    SOT23

  • 批号:

    1812+

  • FET类型:

    N-Channel

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 漏极电流(Id):

    5.7A

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    26.5 毫欧 @ 5.7A,10V

  • 栅源电压(Vgs):

    ±12V

  • 栅极电荷(Qg):

    13nC @ 4.5V

  • 反向恢复时间:

    8.5ns

  • 耗散功率:

    1400mW

金牌会员 第 11
  • 企业名:深圳市创芯联盈电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 15915459078

    手机:15915459078

    联系人:joanna蔡小姐

    QQ: QQ:2881793583

    微信:

    邮箱:2885251500@cxlydz.com

    地址:广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

商品信息 更新时间:2019-08-12

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AO3401A-2

AO3401A-1

AO3400A-2

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使用优势VMOS场效应管场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。场效应管在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

联系方式

企业名:深圳市创芯联盈电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 15915459078

手机:15915459078

联系人:joanna蔡小姐

QQ: QQ:2881793583

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地址:广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

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