型号：IRF840PBF

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息 

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds-

漏源极击穿电压:500 VId-

连续漏极电流:8 ARds On-

漏源导通电阻:850 mOhmsVgs th-

栅源极阈值电压:2 VVgs - 

栅极-源极电压:10 VQg-

栅极电荷:63 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

配置:SinglePd-功率

耗散:125 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel 

商标:Vishay / Siliconix 

正向跨导 - 值:4.9 S 

下降时间:20 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:23 ns 

工厂包装数量:50 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:49 ns 

典型接通延迟时间:14 ns

企业名：壹诺半导体（深圳 ）有限公司

类型：贸易/代理/分销

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