AOD3N50场效应管参数：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：500V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.8A（Tc）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：3 欧姆 @ 1.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：8nC @ 10V

    Vgs（值）：±30V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：331pF @ 25V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：57W（Tc）

    工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

    封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

    场效应管的参数：

    场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

    1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。

    2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

    3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

    4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

    5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

    6、PDSM — 耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

    7、IDSM — 漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM

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