AO4440场效应管规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：60V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：55 毫欧 @ 5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：10.5nC @ 10V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：540pF @ 30V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：2.5W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管的使用注意事项：

    1、为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值。

    2、各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。

    3、MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。

    4、为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

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