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200VP-频场效应管 SI4477DY-T1-GE3 VISHAY品牌 全新原装

200VP-频场效应管 SI4477DY-T1-GE3 VISHAY品牌 全新原装
200VP-频场效应管 SI4477DY-T1-GE3 VISHAY品牌 全新原装
  • 型号/规格:

    SI4477DY-T1-GE3

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    SOP-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:荣盛电子(香港)有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82819399

    手机:13530050576

    联系人:蔡小姐

    QQ: QQ:3044590559

    邮箱:hkrongsheng@163.com

    地址:广东深圳门市:新亚洲电子市场一期4C005 公司:福田区中航路鼎城2203

商品信息

SI4477DY-T1-GE3




FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 % Rg Tested
• 100 % UIS Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


APPLICATIONS
• Load Switch
• Adapter Switch
- Notebook
- Game Station

PRODUCT SUMMARY

VDS (V)
RDS(on) (Ω)
ID (A)d
Qg (Typ.)
- 20

0.0062 at VGS = - 4.5 V

0.0105 at VGS = - 2.5 V

- 26.6

- 20.6

59 nC

 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
-20 V
Gate-Source Voltage
VGS
± 12
V

Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)                 TC = 25 °C

                                                                              TC = 70 °C

                                                                              TA = 25 °C

                                                                              TA = 70 °C

ID

- 26.6

- 21.3

- 18

- 14.5

A
Pulsed Drain Current
IDM
- 60
A

Continuous Source-Drain Diode Current                 TC = 25 °C

                                                                              TA = 25 °C

IS

- 5.5

- 2.5

A
Avalanche Current                                                   L = 0.1 mH
IAS
30 A
Single-Pulse Avalanche Energy                                L = 0.1 mH
EAS
45 mJ

Maximum Power Dissipation                                   TC = 25 °C

                                                                              TC = 70 °C

                                                                              TA = 25 °C

                                                                              TA = 70 °C

PD

6.6

4.2

3

1.95

W
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
- 55 to 150
°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambienta                   t ≤ 10 s
RthJA
34 41 °C/W
Maximum Junction-to-Foot                          Steady State
RthJF
15 19 °C/W



联系方式

企业名:荣盛电子(香港)有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82819399

手机:13530050576

联系人:蔡小姐

QQ: QQ:3044590559

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