FAIRCHILD/*童
FDM2509NZ
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
TR/激励、驱动
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
20(V)
12(V)
240(μS)
12000(pF)
企业名:邹荣财
类型:经销商
电话: 86 0755 28580524
手机:13728709180
联系人:邹荣财
地址:广东深圳中国 广东 深圳市龙岗区 布吉国展苑16A
应用于锂电池
General Description
This dual N-Channel MOSFET has been designed
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power
Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v on
special MicroFET lead frame with all the drains on one
side of the package.
Applications
• Li-Ion Battery Pack
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司