场效应管IR系列产品 IRF630 IRF630NPBF 9A 200V 原装进囗

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRF630NPBF
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道

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二极管(38)
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三极管(99)
∟ 开关三极管(39)∟ 复合(达林顿)三极管(4)
场效应管MOSFET(49)
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新品上架

商品信息 更新时间：2014-05-04

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装产品目录页面其它名称

IRF630N

TO-220-3, TO-220AB

IR Hexfet TO-220AB

50

分离式半导体产品

FET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

200V

9.3A

300 毫欧 @ 5.4A, 10V