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产品参数：

 产品性能：

功率MOS*—5N60     4.5A，600V  N沟道 

       5N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性，如*快
的开关速度，*低栅电荷，*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源，
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。 

  1、特征                        

 · 4.5A，600V， RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V；                                                         

 · *低栅电荷，典型15nC； 

 ·*低反向转换电容；典型6.5pF 

 · 快速开关能力；            

 · 增强的dV/di能力； 

 · 100%雪崩击穿测试；                                         

 · 封装型式：TO-220/220F 

 · *大结温 150 ℃  

优势产品有SSF2N60、SSF5N60、SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、SPP20N60C3、CR6224T、CR6224S、CR6228T、CR6229T、CR6235S、CR6236T、CR6238T、CR6850S、CR6850T、PR9853T、PR9853S、PR8275、*R10100、*R10200、*R10150、*R20100、*R20150、*R20200、*R30100、*R30150、*R30200.等。

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