IR/国际整流器
IRFP3415PBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
200W
150V
43A
类型:
电话:
联系人:马加鹏
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
数据列表 | IRFP3415PbF |
产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源*电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏*(Id)(25° C时) | 43A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(*大值) | 42毫欧@ 22A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(*大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 200nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
功率-*大值 | 200W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
包装 | 散装 |
产品目录页面 | 1519 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | *IRFP3415PBF |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司