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IGBT模块

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  • 型号/规格:

    SKM 300GB123D(124D) 300A/1200V/2U

  • 品牌/商标:

    西门康

武汉鑫恒瑞机电设备有限公司代理销售功率元器件:电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块 :谢先生 : 欢迎垂询 西门康IGBT模块型号 (1 单元 1200V) IGBT 技术指标 SKM 152GA123 150A/1200V/1U SKM 200GA123D 200A/1200V/1U SKM 300GA123D 300A/1200V/1U SKM 400GA123D(124D) 400A/1200V/1U SKM 500GA12...

  • 武汉鑫恒瑞有限公司
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  • 地区:湖北武汉
  • 电话:027-86642179

    手机:13797053096

  • 型号/规格:

    SKM400GA128D

  • 品牌/商标:

    SEMIKRON(西门康)

  • *类别:

    无铅*型

德国西门康全系列武汉代理 手机::侯敏 :传真:地址:武汉经济技术开发区湘隆时代商业中心C1-2-35 我公司代理全系列德国原装西门康IGBT,西门康可控硅 西门康整流桥 西门康二*管西门康SEMIKRON模块,SKKT,SKKH,SKKD,SKET,SKD,SKB,SKM等系列现货产品库存*,欢迎...

  • 型号/规格:

    SKM 200GA123D

  • 品牌/商标:

    西门康

  • *类别:

    无铅*型

武汉鑫恒瑞机电设备有限公司代理销售功率元器件:电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块 : 郭少青 : 西门康IGBT模块型号 (1 单元 1200V) IGBT 技术指标 SKM 152GA123 150A/1200V/1U SKM 200GA123D 200A/1200V/1U SKM 300GA123D 300A/12...

  • 型号/规格:

    2*400N-060

  • 品牌/商标:

    FUJI

  • *类别:

    普通型

富士IGBT模块 武汉晶达电子有限公司是功率半导体产品及配套器件代理商,有着十多年从业经验,熟悉各行业的器件选型及具体应用;同时依托高校强大的研发实力及原厂技术支持,为您的产品保驾护航。我们不*提供*的产品,更提供*的技术支持与服务。现全权代理富士...

  • 武汉科琪电子有限公司
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  • 型号/规格:

    BSM 200GA 120DN2SE3256

  • 品牌/商标:

    西门子

  • *类别:

    普通型

武汉鑫恒瑞机电设备有限公司:汪先生联系 商务欢迎垂询! 产品简介:型号 (1 单元 1200V) IGBT 技术指标 BSM 200GA 120DN2SE3256 BSM 200GA 120DN2(DLC) 200A/1200V/1U BSM 300GA 120DN2SE3256 BSM 300GA 120DN2(DLC) 300A/1200V/1U BSM 400GA 120DN2SE3256 BS...

  • 型号/规格:

    6*P150*060

  • 品牌/商标:

    富士

武汉鑫恒瑞机电设备有限公司:郭 联系: 本中心库存*供应富士、东芝、三菱、日立、西门康、西门子、欧派克等全系列工控产品,现有大量库存,且价格低廉、服务周到。一样的品质不一样的价格!欢迎来电垂询: 详细介绍:富士 Fuji IGBT 模块 ( 耐压 600V/1200V/1400V/1800V/2000V 系列 ) 型号( 1U 600V ) 技术指标 型号 (1U 6...

  • 型号/规格:

    FF1000R17IE4

  • 品牌/商标:

    英飞凌

武汉科琪电子有限公司为广大高压变频器、SVG行业客户提供*的原厂技术支持和完善的解决方案,以及产品配套工作。技术支持: 现代理以下产品: Ø 富士IGBT模块 2*300U4H-120 2*400U4H-120 2*100U4H-170 2*150U4H-170 2*200U4H-170 2*300U4H-170 2*400U4H-170 Ø 英飞凌IGBT模块 FF300R12KT3 FF4...

  • 武汉--科琪
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  • 型号/规格:

    2*400N-060

  • 品牌/商标:

    富士

  • *类别:

    普通型

N系列(UPS厂家广泛采用) 注:“N”系列1200V IGBT模块已经停产,请选用“P”系列或“S”系列以及第五代“U”系列;“N”系列600V IGBT模块继续正常供货,也可选用第五代“U”系列。 2*75N-060 2*100N-060 2*150N-060 2*200N-060 2*300N-060 2*400N-060 2*600NT...

  • 型号/规格:

    2*75N-060

  • 品牌/商标:

    富士

  • *类别:

    普通型

(1)N系列 注: N系列*产品已经*停产,请选用第五代U系列。 2*75N-060 2*100N-060 2*150N-060 2*200N-060 2*300N-060 2*400N-060 (2)P系列1400V IGBT模块 2*50P-140 2*75P-140 2*100PC-140 2*150PC-140 2*200PB-140 2*300P-140 1*600PX-140 1*600PX-120 (...

  • 型号/规格:

    BSM100GB600DLC

  • 品牌/商标:

    IGBT

IGBT模块以下产品备有大量现货BSM50GB600DLCBSM75GB600DLCBSM100GB600DLCBSM35GB120DN2BSM50GB120DN2BSM75GB120DN2BSM100GB120DN2BSM150GB120DN2BSM200GB120DN2BSM300GB120DLCBSM200GA120DN2BSM300GA120DN2BSM400GA120DN2BSM35GD120DLCBSM50GD120DLCBSM75GD120DLCBSM100GD120DLCBSM300GA170DN2BSM75GB170DN2BSM100GB170DLBS...

  • 型号/规格:

    F*B20CH60

  • 品牌/商标:

    Fairchild

  • *类别:

    无铅*型

供应Fairchild*童TGBT模块,原厂原装正货

  • 桂鹏
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  • 型号/规格:

    BSM50GB600DLC

  • 品牌/商标:

    三肯

  • *类别:

    无铅*型

威能*出售各品牌IGBT联系: 手机:传真: :刘先生 BSM50GB600DLCBSM75GB600DLCBSM100GB600DLCBSM35GB120DN2BSM50GB120DN2BSM75GB120DN2BSM100GB120DN2BSM150GB120DN2BSM200GB120DN2BSM300GB120DLCBSM200GA120DN2BSM300GA120DN2BSM400GA120DN2BSM35GD120DLCBS...

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IGBT模块行业资讯

什么是IGBT模块?

  •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
  • IGBT模块

IGBT模块技术资料

  • IGBT模块上的续流二极管(续流二极管作用)[2022-12-23]

    IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢?  当 PWM 波输出的时候,它是维持电机内的电流不断用的。  我在说明变频器逆变原理的时候,用的一个电阻做负载。  电阻做负载,它上面的电流随着电压有通断而通断,上图所示的原理没有问题。  但变频器实际是要驱动电机的,接在电...

  • IGBT模块封装流程原理图[2018-11-15]

    IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有引线型、焊针型、平板式、圆盘式四种,常见的模块封装技术有很多,各生产商...

  • 适用于高频开关的高速IGBT模块特点介绍[2018-10-29]

    如今节能的重要性日益显着,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断攀升。另一方面,由于IGBT的性能已经接近“硅限”,所以需要一种面向应用的IGBT模块设计。就是说,我们要专门为这些电...

  • IGBT模块使用中的注意事项[2016-05-09]

    由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动

  • Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块[2014-11-20]

    Littelfuse公司是电路保护领域的企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计,现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块,额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 ...

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