ISSI
229 mg
190
SDRAM - DDR3L
0℃
95℃
IS43TR16128CL-125KBLI 256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V FEATURESIS43TR16128CL-125KBLI  Standard Voltage: V...
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MT48LC64M4A2 概述 MT48LC64M4A2是一款256Mb高速CMOS SDRAM,共有268,435,456 bits。MT48LC64M4A2的内部结构为具有同步接口的四组(quad-bank)DRAM,所有信号都在时钟信号(CLK)的上升沿触发。MT48LC64M4A2每组密度67,108,864-bit,结构为8,192行乘2,048列乘4位带宽。 MT48LC64M4A2采用2n-prefetch架构,可在每个时钟周期改变...
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NT5CC128M16JR-EK
NANYA/南亚
FBGA
23+
无铅/环保
NT5CC128M16JR-EK 全新原装 DDR3Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM NT5CC128M16JR-EK 全新原装 DDR3 的技术参数:制造商NANYA外包装TRAY温度规格0°C~+95°C封装T...
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ALI/扬智
LFBGA
35000
深圳
致诚达主要代理台湾通嘉,巨风芯,宝砾微, 率能半导体,无锡新洁能,长园维安,芯长征,威兆,成都芯进,旋智等国内产品线以及配套方案设计(直流无刷电机控制器方案提供商),分销国外ON,Infineon,ST,Diodes, Renesas,Maplesemi,MPS,semihow等品牌; 深圳市致诚达科技...
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NT5CB128M16JR-FL
Nanya(南亚科技)
TFBGA-96
21+
符合JEDEC DDR3标准-8n预取架构-差分时钟(CK/??)和数据选通(DQS/?-DQ、DQs和DM的双倍数据速率?数据完整性-DRAM内置TS的自动自刷新(ASR)-自动刷新和自刷新模式?省电模式-断电模式CAS延迟(6/7/8/9/10/11/13/14)CAS写入延迟(5/6/7/8/9/10)?加性延迟(0/...
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HY5DU561622ETP-4
Hynix
DDR SDRAM 是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(双数据率同步动态随机存储器)的简称,是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品,采用2.5v工作电压,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度,并具...
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MT48LC16M16A2P-7E IT:G
Micron
54-TSOP II
20+
3V ~ 3.6V
5.4ns
MT48LC16M16A2P-7E IT:G Micron SDRAM 制造商 Micron Technology Inc. 制造商零件编号 MT48LC1...
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AS4C4M16SA-7TCN
Alliance
TSOP-54
64Mb
托盘
SDRAM
AS4C4M16SA-7TCN,Alliance SDRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C4M16SA-7TCN 英文名称:synchronous dynamic random-access memory,SDRAM 中文名称:同步动态随...
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手机:+86-13316406520
Samsung
BGA
15+
原装现货
回收供应KMRC10015M-B809 深圳市惠盛科技有限公司长期回收工厂库存手机主板和手机芯片。MTK、QUALCOMM高通、SAMSUNG三星、展讯、现代、闪迪、海力士、东芝、镁光、博通等库存手机芯片和手机PCB板。正规公司,资金雄厚,信誉有保障,欢迎联系咨询。中介重酬。 ...
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DRAM
2Gb (256M x 8)
78-FBGA(8x10.5)
SDRAM - DDR3L
0°C ~ 95°C(TC)
MT41K256M8DA-125:K MT41K256M8DA-125:K MT41K256M8DA-125:K MT41K256M8DA-125:K 存储器类型 易失 存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR3L 存储容量 2Gb (256M x 8) 存储器接口 并联 ...
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华存
高达550/450 MB/秒
新一代3D TLC
足容
闪存是一种非易失性( Non-Volatile )内存,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。规格说明:MMSC350——128GB——Up to 550——Up to 450MMSC350——256GB——...
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TSOP54
21+
WINBOND
256MB
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SAMSUNG/三星
K4Z80325BC-HC14
SDRAM
180FBGA
10000
8 Gb
256M x 32
14.0 Gbps
K4Z80325BC-HC14 产品概述 图片仅供参考 IC编号 K4Z80325BC-HC14 厂牌 SAMSUNG/三星 IC 类别 GDDR6 SDRAM ...
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H5TQ4G63AFR-RDC
SKHYINX
FBGA96
19+
2000
同步动态随机存取内存(synchronous dynamic random-access memory,简称SDRAM)是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入...
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SDRAM - DDR4
16 bit
512 M x 16
FBGA-96
1200 MHz
1.26 V
1.14 V
100 mA
产品属性属性值搜索类似制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器RoHS: 详细信息 类型:SDRAM - DDR4数据总线宽度:16 bit组织:512 M x 16封装 / 箱体:FBGA-96存储容量:8 G...
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AS4C4M16SA-7TCN
Alliance
TSOP-54
64Mb
托盘
SDRAM
AS4C4M16SA-7TCN,Alliance SDRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C4M16SA-7TCN 英文名称:synchronous dynamic random-access memory,SDRAM 中文名称:同步动态随...
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AS4C4M16SA-7TCN
Alliance
TSOP-54
64Mb
托盘
SDRAM
AS4C4M16SA-7TCN,Alliance SDRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C4M16SA-7TCN 英文名称:synchronous dynamic random-access memory,SDRAM 中文名称:同步动态随...
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AS4C4M16SA-7TCN
Alliance
TSOP-54
64Mb
托盘
SDRAM
AS4C4M16SA-7TCN,Alliance SDRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C4M16SA-7TCN 英文名称:synchronous dynamic random-access memory,SDRAM 中文名称:同步动态随...
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AS4C4M16SA-7TCN
Alliance
TSOP-54
64Mb
托盘
SDRAM
AS4C4M16SA-7TCN,Alliance SDRAM 原厂原装 制造商:Alliance Memory 规格型号:AS4C4M16SA-7TCN 英文名称:synchronous dynamic random-access memory,SDRAM 中文名称:同步动态随...
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ISSI
动态随机存取存储器
SDRAM
16 bit
TSOP-54
64 Mbit
143 MHz
制造商: ISSI 产品种类: 动态随机存取存储器 。。。。。。。。。。。。。。。详细信息。。。。。。。。。。。。。。。。。 类型: SDRAM 数据总线宽度: 16 bit 组织: 4 M x 16 封装 / ...
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