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场效应管MOSFET

（共找到“28”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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生产企业
广州
源头工厂
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加拿大28，担保群6208889化学实验仪器
加拿大28，担保群6208889化学实验仪器
  • 型号/规格：

    V/C

  • 品牌/商标：

    Motorola（摩托罗拉）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 产地：

    印尼

  • 价格：

    7800

加拿大28，担保群6208889化学实验仪器 加拿大28，担保群6208889化学实验仪器 化学实验中使用到的仪器称为化学仪器。加拿大28担保群 6208889可以对材料进行计量或反应。主要分为计量仪...

* 原装 NE-09S HIFI*胆机功放/电子管功放/晶体管
* 原装 NE-09S HIFI*胆机功放/电子管功放/晶体管
  • 音响类别：

    功放

  • 品牌/商标：

    NEWJOMO/新尊宝

  • 型号/规格：

    NE-09S

  • 货号：

    NE-09S

  • 功放类型：

    HIFI功放

  • 失真率：

    小于0.1（%）

  • 信噪比：

    89（db）

  • 阻*：

    4~8（Ω）

温馨提示：本店所售出的*产品均不包含运费，设置包邮是为了方便买家进行付款操作。拍下并付款后，我们会有专人与您联系，谢谢您的信赖和支持。 感谢您对本公司的支持和信任，我们更可...

2301场效应管 MOS管 SOT-23-3L
2301场效应管 MOS管 SOT-23-3L
  • 品牌/商标：

    台湾CB

  • 型号/规格：

    CB2301P

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 开启电压：

    -20（V）

  • 夹断电压：

    &plu*n;10（V）

原装高低压MOS场效应管CB2300N\CB2301P\CB2302N\CB230*\CB2306N\CB2307P\CB2309P\CB231*\CB3400N\CB3401P\CB3402N\CB340*\CB3406N\CB3407P\CB3409P\CB2N700P\CB2N7002K\CB2308NS\CB94...

2SK2134
2SK2134
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2K2134

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

场效应管。三*管。高压包 广州市树坤电子有限公司是一家专营各种彩电高压包，电源适配器，逆变器，汽车功放机，高频头，管座，遥控器等家用电子*配件的外贸经销商和*售商。公司本着&a...

2SK215场效应*质量好 欢迎咨询
2SK215场效应*质量好 欢迎咨询
  • 品牌/商标：

    ADV美国*半导体

  • 型号/规格：

    2SK215

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

我司贴片、直插 电容 电感 电阻 二*管 整流桥堆 场效应 肖特基 可控硅 三*管 集成IC 电解电容、瓷片、校正、CBB电容，启动电容、等类电子元件生产商 价格长期价，特优供货及时，以现...

场效应管IRF730 价格优势 长期
场效应管IRF730 价格优势 长期
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF730

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    AM/调幅

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

广州市滨耀电子有限公司是一家专门供应场效应管的 价格特优 有IRF 等等一系列型号 欢迎咨询 谢谢"

现货供用55N60 场效应管
现货供用55N60 场效应管
  • 品牌/商标：

    其他

  • 型号/规格：

    55N60

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

本公司有全系列场效应管1N60 2N60 3N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 13N60 50N06 15N120 25N120 …...* 本公司是一家生产铝电解电容的大型生产商，本公司的产品主...

  • 杨映玲
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东广州

    • 手机：13688895825

AM/FM收音模块SI4702
AM/FM收音模块SI4702
  • 型号/规格：

    SI4702模块

  • 品牌/商标：

    silicon

  • *类别：

    普通型

品牌 silicon 型号 SI4702模块 封装 模块 批号 2010 类型 音响IC SI4702的详细描述： 射频芯片产品线简介◆FM收音模块， AM/FM收音模块 ;◆FM发射模块/FM收发一体模块/无需MCU控制的高*FM发射模块;◆无线音频传输方案。。。。。。国内外知名品牌FM,AM/FM芯片...

非稳压电源模块
非稳压电源模块
  • 型号/规格：

    B0505LT-2W

  • 品牌/商标：

    MORNSUN

  • *类别：

    普通型

品牌 MORNSUN 型号 B0505LT-2W 批号 10+ 封装 SMD 产品性质 新品 工作温度 -40~85（℃） 类型 电源模块 产品特点： 效率*85%工作温度范围: -40℃～+85℃SMD 封装体积小17.7*12.7*5.75mm功率密度大隔离电压1000VDC阻燃封装国际标准引脚方式*合ROHS 指令 B0505L...

  • 普田电子有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东广州

    • 电话：020-32720121

非稳压电源模块
非稳压电源模块
  • 型号/规格：

    A0509S-1W

  • 品牌/商标：

    JETEK

  • *类别：

    普通型

品牌 JETEK 型号 A0509S-1W 批号 10+ 封装 SIP7 营销方式 * 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 混合集成 规格尺寸 19.6*10*6（mm） 工作温度 -40~85（℃） 静态功耗 --（mW） 类型 电源模块 型号 输入电压VDC 输入电压范围值VDC 输出电压VDC 输出电流mA ...

非隔离电源模块
非隔离电源模块
  • 型号/规格：

    A0509S-1W

  • 品牌/商标：

    JETEK

  • *类别：

    普通型

品牌 JETEK 型号 A0509S-1W 批号 10+ 封装 SIP7 营销方式 * 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 混合集成 规格尺寸 19.6*10*6（mm） 工作温度 -40~85（℃） 静态功耗 --（mW） 类型 电源模块 参数速查： 型号 输入电压VDC 输入电压范围值VDC 输出电压VDC ...

MOSFET
MOSFET
  • 型号/规格：

    STU6160

  • 品牌/商标：

    samhop

  • 封装形式：

    TO-252

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

特征*密集的单元设计低RDS（ON）的。坚固，*。曲面的贴装封装 PRODU* SUMMARYVDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max60V 18A75 @ VGS=4.5V60 @ VGS=10V

场效应2sk2843
场效应2sk2843
  • 型号/规格：

    2SK2843

  • 品牌/商标：

    东芝

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    *率

供应全系列 场效应 肖特基 陈生

  • 汕头华达电子
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东广州

    • 电话：020-62794020

    手机：15002021400

IGBT驱动器QC962和QC841
IGBT驱动器QC962和QC841
  • 型号/规格：

    QC962和QC841

  • 品牌/商标：

    MORNSUN

  • *类别：

    无铅*型

品牌 MORNSUN 型号 QC962和QC841 应用范围 稳压/恒压 类别名称:混合集成IGBT 驱动器A、QC841 是一种混合集成型IGBT 驱动器，内部集成高共模抑制比和高隔离电压的*光耦，可实现功率半导体器件与控制电路之间的*电气隔离。通过检测IGBT 的集电*欠饱和压降来实现...

优势N沟道MOS场效应管-SI8822
优势N沟道MOS场效应管-SI8822
  • 品牌/商标：

    台产

  • 型号/规格：

    SI8822

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

优势供应N沟道MOS场效应管-SI8822，台产，3000个/盘，货源充足、质量稳定、以诚为本，欢迎各大厂家前来订购，价格面议，谢谢。

晶体管BD237(图)
晶体管BD237(图)
  • 应用范围：

    功率

  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    BD237

  • 封装形式：

    TO-126

  • 电流容量：

    大功率

  • 类别：

    直插

  • 发货期限：

    10

  • 封装材料：

    金属封装

本公司大量供应晶体管封装:TO-126型号：BD139.BD140.BD135.BD136.BD138.BD237.BD435.BD681.BD682.BD678.BD679等.... 全新环保.欢迎联络~"

MOS管 7N60 单价 7A 600V
MOS管 7N60 单价 7A 600V
  • 品牌/商标：

    HL

  • 型号/规格：

    7N60

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

· 生产MOS管系列：1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、7N65、8N60、10N60、12N60、P80N75，B80N80，60N03、50N06、HD830L等，封装有TO-251、TO-252、TO-220F、TO-220，TO-...

MOS场效应管2N60
MOS场效应管2N60
  • 品牌/商标：

    SLT

  • 型号/规格：

    2N60

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

厂家直供MOS管：1N60 2N60 4N60 IRF630 IRF730 IRF740 IRF840等型号！规格书可在线索取！参数以规格书为准！封装形式有：TO-92 TO-251 TO-252 TO-220 本司有近百种三极管型号！欢迎选...

特价销售SI2313 SOT-23
特价销售SI2313 SOT-23
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    SI2313

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 开启电压：

    30（V）

  • 夹断电压：

    20（V）

本公司销售贴片、插脚双极小、中、大功率三极管，MOSFET晶体管；三端稳压LM78LXX系列，TL431，LDO直流电压转换IC AMS1117系列；Trench（沟槽）MOS：SI23XX系列，AO34XX系列，2SK3018,...

IRF2807PBF
IRF2807PBF
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF2807PBF

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 开启电压：

    10（V）

  • 夹断电压：

    10（V）

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：13 毫欧...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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