XY
2301/2302
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
企业名：丹东鑫原电子有限公司
类型：生产型 贸易型
电话：
8604152188181
2188585
手机：13904956321
联系人：杨学
地址：辽宁中国辽宁丹东市元宝区新华街12号
CHARA*ERISTIC特性参数 | Symbol*号 | Rating额定值 | Unit单位 |
Drain-Source Voltage漏*－源*电压 | VDS | 20 | Vdc |
Gate-Source Voltage栅*-源*电压 | VGS | &plu*n;8 | Vdc |
Drain Current—Continuous漏*电流-连续 | ID | 3.6 | Adc |
Peak Drain Current峰值漏*电流 | IDM | 10 | Adc |
Power Dissipation耗散功率 | PD | 1.25 | W |
Junction Temperature结温 | Tj | 150 | ℃ |
Storage Temperature Range储存温度 | Tstg | -55 to 150 | ℃ |
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