品牌:SGS法意电子 型号:STB6NK60Z 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-HBM/半桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:30（V） 低频跨导:24（μS） *间电容:560（pF） 低频噪声系数:24（dB） *大漏*电流:5000（mA） *大耗散功率:6000（mW）

高压场效应管STB6NK60Z高压场效应管STB6NK60Z高压场效应管STB6NK60Z高压场效应管STB6NK60Z

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