| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRL630S |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 200（V） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRL630SPBF |
| D2PAK, TO-263 |
| IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 400 毫欧 @ 5.4A, 5V |
| 200V |
| 9A |
| 2V @ 250µA |
| 40nC @ 10V |
| 1100pF @ 25V |
| 3.1W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 管件 |
| D2PAK |
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