品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRL630S |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 200(V) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
IRL630SPBF |
D2PAK, TO-263 |
IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
1,000 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
- |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
400 毫欧 @ 5.4A, 5V |
200V |
9A |
2V @ 250µA |
40nC @ 10V |
1100pF @ 25V |
3.1W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
管件 |
D2PAK |
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