品牌:ST意法半导体 型号:VNN1NV0413TR 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:0（V） 夹断电压:0（V） 低频跨导:0（μS） *间电容:0（pF） 低频噪声系数:0（dB） *大漏*电流:0（mA） *大耗散功率:0（mW）
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