品牌:VISHAY 型号:IRFBE20PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:800(V) 夹断电压:20(V) 跨导:0(μS) *间电容:0(pF) 低频噪声系数:0(dB) *大漏*电流:7.2(mA) *大耗散功率:54(mW)
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