STW10NK80Z增强型MOS管N沟道，*原装

品牌：
ST意法半导体
型号：
STW10NK80Z

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企业名：深圳市长亮源科技有限公司

类型：生产加工

电话： 755-88878818

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产品分类

电源IC(81)
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∟ 整流二极管(11)∟ 稳压二极管(2)∟ 开关二极管(4)∟ 阻尼二极管(1)∟ 变容二极管(22)∟ 快/超快/特快恢复二极管(5)∟ 肖特基二极管(19)∟ 二极管芯片(管芯)(1)∟ 其他二极管(7)
三极管(1301)
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场效应管MOSFET(333)
∟ MOSFET(267)∟ 结型场效应管(9)∟ IGBT模块(1)∟ 其他场效应管模块(32)
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单片机(4)
电容器(6)
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电源/稳压器(18)
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开关(2)
∟ 霍尔开关(1)∟ 其他工程设备类开关(1)
传感器(20)
∟ 电磁传感器(1)∟ 霍尔传感器(16)∟ 角度/倾角传感器(1)
保险丝(2)
∟ 其它保险丝(1)
放电管(1)
∟ 气体放电管(1)
变压器(6)
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继电器(1)
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商品信息

品牌/商标	ST意法半导体	型号/规格	STW10NK80Z
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	MIN/微型
封装外形	P-DIT/塑料双列直插	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	800（V）	夹断电压	4.0（V）
低频跨导	2（μS）	*间电容	2（pF）
低频噪声系数	2（dB）	大漏电流	9A（mA）
*大耗散功率	160W（mW）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面工具箱其它名称

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