品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | TK40P04M1 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 |
部件型号 | TK40P04M1 * | |
*性 | N沟 | |
漏电流ID | 40 A | |
漏功耗PD | 60 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 29 | |
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=4.5V | 0.0134 Ω | |
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.011 Ω | |
封装 | DP | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | Y | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 30V<VDSS≤60V) | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
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