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场效应管 SPW17N80C3

场效应管 SPW17N80C3
场效应管 SPW17N80C3
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产品分类
商品信息

品牌/商标 英飞凌 型号/规格 SPW17N80C3
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷
开启电压 43(V) 夹断电压 33(V)
跨导 33(μS) *间电容 22(pF)
低频噪声系数 32(dB) *大漏*电流 23(mA)
*大耗散功率 22(mW)

制造商:  Infineon   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  N-Channel   
 
电阻汲*/源* RDS(导通):  0.29 Ohm @ 10 V   
 
汲*/源*击穿电压:  800 V   
 
闸/源击穿电压:  +/- 20 V   
 
漏*连续电流:  17 A   
 
功率耗散:  208000 mW   
 
*大工作温度:  + 150 C   
 
安装风格:  Through Hole   
 
封装 / 箱体:  TO-247   
 
封装:  Tube   
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
*件号别名:  SPW17N80C3XK 
 

联系方式

企业名:深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型:经销商

电话: 0755-82894329

联系人:陈义雄

地址:广东深圳深圳市福田区华强电子世界2号楼21B241号

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