| 品牌/商标 | NCE（新洁能） | 型号/规格 | NCE3010S |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | *大漏*电流 | 10000（mA） |
1,*替代*童、IR、AOS同参数产品，*导通阻*。
2,常备大量现货，**，可立即发货。
3,可索样，支持支付宝交易，并承担产品质量因起的损失！
D*CRIPTION
The NCE3010S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
GENERAL FEATUR*
● VDS =30V,ID =10A
RDS(ON) < 13.5mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=4.5V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized Avalanche voltage and current
Application
●Power switching application
●Hard Switched and High Frequency Circuits
●Uninterruptible Power Supply
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
