SMD(SO)/表面封装
RJK0365DPA,QFN-8 5*6/WPAK,SMD/MOS,N场,30V,30A,0.0091Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
REN*AS/瑞萨
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:经销商
电话: 0755-83683996
联系人:钟丽华
邮箱:2355799088@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
产品型号:RJK0365DPA
特点
* *开关
* 可4.5 V栅*驱动器
* 低驱动电流
* 高密度安装
* 低导通电阻RDS(ON)= 7.0mΩ TYP.(VGS=10V)
* 无铅
封装:QFN-8 5*6/WPAK
源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):&plu*n;20
*大漏*电流Id(A):30
源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0091 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):30
输入电容Ciss(PF):1180 t*.
通道*性:N沟道
低频跨导gFS(s):60
单脉冲雪崩能量EAR(mJ):14.4
导通延迟时间Td(on)(ns):5.4 t*.
上升时间Tr(ns):4 t*.
关断延迟时间Td(off)(ns):34 t*.
下降时间Tf(ns):4.3 t*.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,30A N-沟道增强型场效应晶体管
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