CS1N60A3H,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,0.8A,15Ω

产品型号:CS1N60A3H
概述：
硅CS1N60A3H，N-沟道的增强VDMOSFETs，是通过以下方式获得的自对准的平面技术，能够降低导通损耗，*开关性能和增强的雪崩能量。的晶体管可以使用在各种电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。封装形式为TO-251，
*合RoHS标准。

产品特点：
 * 开关速度快
 * 低导通电阻（导通电阻≤15Ω）
 * 低栅*电荷（典型数据：5.0nC）
 * 低反向传输电容（典型：2.7pF）
 * 100％的单脉冲雪崩能量测试

应用范围：
 * 电源开关电路的电源适配器和充电器。
 * *合RoHS标准

封装:TO-251

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):0.8

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):30

输入电容Ciss(PF):92 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：0.7

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60

导通延迟时间Td(on)(ns):21 t*.

上升时间Tr(ns):26 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):11 t*.

下降时间Tf(ns):27 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,0.8A N-沟道增强型场效应晶体管

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