STP5NK50Z,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,4.4A,1.5Ω

产品型号:STP5NK50Z
特点：
 * 典型的RDS（ON）=1.22Ω
 * *高dv/dt能力
 * 100％的雪崩测试
 * 栅*电荷*小化
 * *低的固有电容
 * 制造重复性*好
说明
*?系列获得通过*端优化ST的确立脱衣的PowerM*H布局。在除了推动的导通电阻显着下降，*是采取措施，*一个很好的dv/dt能力为*苛刻的应用。这种充满了ST系列的高电压MOSFET包括*MDmesh产品。
应用
 * 大电流，高开关速度
 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC
 * 照明

封装:TO-220

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):&plu*n;30

*大漏*电流Id(A):4.4

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):70

输入电容Ciss(PF):535 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：3.1

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130

导通延迟时间Td(on)(ns):15 t*.

上升时间Tr(ns):10 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):32 t*.

下降时间Tf(ns):15 t*.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管

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