产品型号:LZP80N06

Features/特点:
 * Avalanche Rugged Technology/坚固的雪崩技术
 * Rugged Gate Oxide Technology/坚固的门栅氧化层技术
 * High di/dt Capability/高di/dt的能力
 * Improved Gate Charge/改进的栅*电荷
 * Wide Expanded Safe Operating Area/宽扩展*工作区

Application/应用:
 * UPS
 * Car Inverter/车载逆变器
 * E-bike/电动自行车
 * SMPS

封装:TO-220

品牌：LITEON/光宝

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):80

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):300

输入电容Ciss(PF):3960 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):900

导通延迟时间Td(on)(ns):47 t*.

上升时间Tr(ns):185 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):250 t*.

下降时间Tf(ns):130 t*.

温度(℃): -55 ~175

描述:LZP80N06P,60V ,80A,0.01ΩA N-沟道增强型场效应晶体管

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