STF23NM60N,TO-220F,DIP/MOS,600V,19A,全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话
STP20NM60FP ST TO-220F
STP3NB60ZFP ST TO-220F
STP4NB60ZFP ST TO-220F
STP5NB60FP ST TO-220F
STP6NC60FP ST TO-220F
STP7NB60FP ST TO-220F
STP9NC60FP ST TO-220F

产品型号:STF23NM60N
1.特点
 * 100％的雪崩测试
 * 低输入电容和闸电荷
 * 低栅极输入电阻
2.应用
 * 开关应用

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±25

漏极电流Id(A):19

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.18 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):35

输入电容Ciss(PF):2050 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：17

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):700

导通延迟时间Td(on)(ns):25 TYP.

上升时间Tr(ns):15 TYP.

关断延迟时间Td(off)(ns):90 TYP.

下降时间Tf(ns):36 TYP.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,19A N-沟道增强型场效应晶体管
此系列器件设计采用第二代MDmes技术。这一革命性的功率MOSFET联营公司的带布局的一个新的垂直结构，得出一个世界上的导通电阻和栅极电荷。因此，适用于苛刻的高效率转换器。

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