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场效应管 BSC0921NDI,0921NDI

场效应管 BSC0921NDI,0921NDI
场效应管 BSC0921NDI,0921NDI
  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    BSC0921NDI

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

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    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息

BSC0921NDI,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,30V/30V,40A/40A,0.005Ω

仓库 a

 

英飞凌全新推出的25V OptiMOS分立式器件采用三种封装形式:SuperSO8、CanPAK和超小的S3O8封装。S3O8封装尺寸仅为3.3 毫米 x 3.3毫米。若采用S3O8封装,一个六相转换器的外形尺寸仅为1,120平方毫米,比另外两种封装分别缩小45%至 55%。全新推出的DrMOS器件——TDA21220——是一个多片封装,集成了两个全新的OptiMOS晶体管和一个驱动IC。它的能效比市场上同类解决方案高2%至4%.

对于采用低导通电阻沟槽技术和超低栅极电荷横向MOSFET概念的器件,OptiMOS25V器件在能效优值方面表现更为出色。在导通电阻相同的情况下,全新的OptiMOS 25V器件的栅极电荷,比采用接近的沟槽工艺制造的器件低35%,而其输出电荷比的横向MOSFET器件低一半。

电源设计人员可通过采用25V OptiMOS器件,减少产品的用电量,降低其热负载,甚至缩小其尺寸。这些改进对于数据中心运营商而言十分有益,因为服务器运行及制冷所发生的电费,是数据中心的运营成本项目。终用户同样非常重视缩小整个系统的体积。

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:经销商

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