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场效应MOSFET管 FDD5614P

供应场效应MOSFET管 FDD5614P
供应场效应MOSFET管 FDD5614P
普通会员
商品信息 更新时间:2011-01-25

品牌:FAIRCHILD 型号:FDD5614P FDD5612 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:20(V) 夹断电压:-60V(V) *间电容:759(pF) *大漏*电流:-15A(mA) *大耗散功率:42(mW)

本公司*经营世界名厂(IR ST FAIRCHILD VISHAY ZETEX infineon):二三*管 场效应管 精密稳压IC;欢迎来电咨询: 只做现货

FDD120AN15AOFAIRCHILD09+TO-252
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联系方式

企业名:深圳市福田区新亚洲电子市场二期嘉能源电子经营部

类型:经销商

电话:

联系人:朱钦雄

地址:广东深圳华强北新亚洲电子商城一楼N1B190

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