品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFPG50PBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
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产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: |
配置: | Single |
晶体管*性: | N-Channel |
电阻汲*/源* RDS(导通): | 2 Ohms |
汲*/源*击穿电压: | 1000 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏*连续电流: | 6.1 A |
功率耗散: | 190 W |
*大工作温度: | + 150 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247AC |
封装: | Tube |
*小工作温度: | - 55 C |
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