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MOSFET耗尽型N沟道20N06

MOSFET耗尽型N沟道20N06

MOSFET耗尽型N沟道20N06

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普通会员

企业名：上海斯盖龙经贸有限公司

类型：生产加工

电话： 21-58217591

联系人：侯林

地址：上海上海市上海栖山路465弄16号鼎隆大厦805室

产品分类

电源IC(108)
∟ 稳压IC(9)∟ 其他电源IC(99)
二极管(13)
∟ 整流二极管(4)∟ 稳压二极管(1)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(3)∟ 其他二极管(1)
三极管(1)
∟ 功率三极管(1)
场效应管MOSFET(109)
∟ MOSFET(97)∟ 结型场效应管(1)∟ IGBT模块(3)∟ 其他场效应管模块(7)
可控硅IGBT(7)
∟ 双向可控硅(晶闸管)(7)
单片机(11)
∟ 单片机MCU(5)∟ 其它单片机配套产品/服务(2)
电源/稳压器(5)
∟ 模块电源/电源模块(5)
继电器(3)
∟ 信号继电器(1)∟ 其他继电器(2)
放大器(10)
光电子/光纤/激光(6)
∟ 光电光耦合器(光耦)(6)
LED(11)
∟ LED室内照明灯具(4)∟ LED户外/景观照明灯具(5)∟ LED特种照明灯具(1)∟ LED电源驱动/控制/软件(1)
仪器/仪表(1)
∟ 控制（调节）仪表(1)
其他未分类(191)

新品上架

商品信息

品牌/商标	ON	型号/规格	20N06
封装形式	DPAK	种类	MOSFET
沟道类型	N沟道	导电方式	耗尽型

制造商:
ON SEMICONDU*OR
库存编号:
1459160
制造商编号:
NTD20N06G

RoHS协从产品: RoHS 协从产品 Y-Ex

描述

晶体管类型:MOSFET
晶体管*性:N
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:20A
开态电阻, Rds(on):0.0375ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.91V
封装类型:DPAK
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:60W
单脉冲雪崩能量 Eas:170mJ
热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W
电压, Vds *大:60V
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th :2V
阈值电压, Vgs th *高:4V

联系方式

企业名：上海斯盖龙经贸有限公司

类型：生产加工

电话： 21-58217591

联系人：侯林

地址：上海上海市上海栖山路465弄16号鼎隆大厦805室

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