IR/国际整流器
IRF1010EPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
20(V)
20(V)
5(μS)
20(pF)
企业名:深圳市科沃科技有限公司
类型:生产加工
电话: 755-26441258
联系人:何岚
地址:广东深圳南山区深南大道12069号海岸时代大厦西座1202室
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Parameter | Value |
Package | TO-220AB |
Circuit | Discrete |
VBRDSS (V) | 60 |
VGs Max (V) | 20 |
RDS(on) Max 10V (mOhms) | 12.0 |
ID @ TC = 25C (A) | 81 |
ID @ TC = 100C (A) | 57 |
Qg T* (nC) | 86.6 |
Qgd T* (nC) | 29.3 |
Rth(JC) (K/W) | 0.90 |
Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 170 |
Part Status | Active |
Environmental Options Available | PbF and Leaded |
Package Cl* Can | Thru-Hole |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司