品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | IHW20N120R3/H20R1203 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | IGBT*缘栅比* |
开启电压 | 1.48(V) | 夹断电压 | 1.75(V) |
跨导 | 42(μS) | *间电容 | 453(pF) |
低频噪声系数 | 12(dB) | *大漏*电流 | 23(mA) |
*大耗散功率 | 5(mW) |
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