| 品牌/商标 | HAR美国哈里斯半导体 | 型号/规格 | HGTG20N60A4D.G20N60B3D.G30N60B3D.G12N60A4D.G40N60A4.G30N60C3D |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 跨导 | 11（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 100（mA） |
| *大耗散功率 | 100（mW） |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
