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场效应2SK1011--1018(图)

场效应2SK1011--1018(图)
场效应2SK1011--1018(图)
  • 品牌:

    FUI日本富士通

  • 型号:

    2SK1011-2SK1018.

普通会员
  • 企业名:深圳市福田区锦煜电子商行

    类型:经销商

    电话: 0755-83013722

    联系人:洪伟钿

    地址:广东深圳中航路都会电子城1B077. QQ:100180338

商品信息

品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK1011-2SK1018.
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 450-500(V) 夹断电压 450-500(V)
低频跨导 111(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 10-18(mA)
*大耗散功率 150(mW)

联系方式

企业名:深圳市福田区锦煜电子商行

类型:经销商

电话: 0755-83013722

联系人:洪伟钿

地址:广东深圳中航路都会电子城1B077. QQ:100180338

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