产品型号:AP9971GH
特点：
 * 简单的驱动要求
 * 低导通电阻
 * 表面贴装封装

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):25

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.036 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):39

输入电容Ciss(PF):1700 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：17

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.

上升时间Tr(ns):24 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.

下降时间Tf(ns):7 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:60V,25A N-沟道增强型场效应晶体管

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