产品型号:AP9972GP
特点：
 * 低栅极电荷
 * 单驱动器要求
 * 符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±25

最大漏极电流Id(A):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.018 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):89

输入电容Ciss(PF):3170 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：55

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45

导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.

上升时间Tr(ns):58 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ.

下降时间Tf(ns):80 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:60V,60A N-沟道增强型场效应晶体管

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