FQP6N80
FAIRCHILD(飞兆)
TO-220
无铅环保型
直插式
1000/盒
企业名:深圳市金城微零件有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83364431
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手机:15811840616
15811829690
联系人:刘小姐/钟小姐
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邮箱:2355799104@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室
产品型号:FQP6N80 800V N-Channel MOSFET
封装:TO-220
品牌:FAIRCHILD/仙童
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.95 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):158
输入电容Ciss(PF):1150 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):5.9
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):680
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
上升时间Tr(ns):70 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):65 typ.
下降时间Tf(ns):45 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:FQP6N80,TO-220,DIP/MOS,N场,800V,5.8A,1.95Ω N-沟道增强型场效应晶体管
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.
特点:
* 5.8A, 800V, RDS(on) = 1.95Ω @VGS = 10 V
* Low gate charge ( typical 31 nC)
* Low Crss ( typical 14 pF)
* Fast switching
* 100% avalanche tested
* Improved dv/dt capability
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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