产品型号:AP02N60J N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

封装:TO-251

品牌：AP/富鼎

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):1.6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):8 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):39

输入电容Ciss(PF):155 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：0.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):64

导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ.

上升时间Tr(ns):12 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):21 typ.

下降时间Tf(ns):9 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:AP02N60J,600V,1.6A,8Ω N-沟道增强型场效应晶体管
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters. The through-hole version (AP02N60J) is available for low-profile applications.

特点：
 * Low Gate Charge  低栅极电荷
 * 100% Avalanche Test 100％雪崩测试
 * Simple Drive Requirement 简单的驱动器要求

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