| 品牌/商标 | 东芝 | 型号/规格 | 2SK2962 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 | 00（V） | 夹断电压 | 00（V） |
| 低频跨导 | 00（μS） | *间电容 | 00（pF） |
| 低频噪声系数 | 00（dB） | *大漏*电流 | 00（mA） |
| *大耗散功率 | 00（mW） |
| 部件型号 | 2SK2962 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 100 V | |
| 漏电流ID | 1 A | |
| 漏功耗PD | 900 mW | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 6.3 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=4V | 0.95 Ω | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.7 Ω | |
| 封装 | TO-92MOD | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 60V<VDSS≦150V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 |
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