| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | SSM5H01TU |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 |
| 部件型号 | SSM5G01TU | |
| 内部连接 | * | |
| 额定电压(Q1)(*大) | VDS= -30V | |
| *大额定电流(Q1) | ID= -1000mA | |
| 其他特性(Q1) | P沟 RDS(ON)=0.8Ω max @VGS=-4V | |
| *大额定电压(Q2) | VR= 20V | |
| *大额定电流(Q2) | IO= 500mA | |
| 其他特性(Q2) | *D: VF=0.45V max @0.3A | |
| 封装 | UFV(2.0 x 2.1) | |
| 表面安装型 | Y | |
| 产品分类 | 多芯片分立器件(P沟+*D) |
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