| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | TPC8207 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 |
| 部件型号 | TPC8207 | |
| *性 | N沟+N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 20 V | |
| 漏电流ID | 6 A | |
| 漏功耗PD | 1.5 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 22 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=2.5V | 0.03 Ω | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=4V | 0.02 Ω | |
| 封装 | SOP-8(5.5 x 6.0) | |
| 用途 | 手机，笔记本电脑 | |
| 备注 | 双 | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N溝 VDSS≤30V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 |
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