| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK3569 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 |
| 部件型号 | 2SK3569 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 600 V | |
| 漏电流ID | 10 A | |
| 漏功耗PD | 45 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 42 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.75 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 |
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