| 品牌/商标 | 东芝 | 型号/规格 | TPC8020-H |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 |
| 部件型号 | TPC8020-H | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 30 V | |
| 漏电流ID | 13 A | |
| 漏功耗PD | 1.9 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 23 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=4.5V | 0.013 Ω | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 0.009 Ω | |
| 封装 | SOP-8(5.5 x 6.0) | |
| 表面安装型 | Y | |
| 用途 | 手机，笔记本电脑 | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 VDSS≤30V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 |
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