*模块FS75R12KT3G

型号/规格：
FS75R12KT3G
品牌/商标：
INFINEON（英飞凌）
*类别：
无铅*型

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产品分类

场效应管MOSFET(26)
∟ IGBT模块(17)∟ IPM模块(9)
可控硅IGBT(10)
∟ 双向可控硅(晶闸管)(8)∟ 可控硅(晶闸管)模块(2)
电容器(27)
∟ 有机薄膜介质电容(21)∟ 聚丙烯(CBB)电容(6)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-08-02

*模块FS75R12KT3G

——IGBT栅*与发射*之间的电压;
——IGBT集电*与发射*之间的电压;
——流过IGBT集电*-发射*的电流;
——IGBT的结温.
如果IGBT栅*与发射*之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高*过栅*-发射*之间的耐压则IGBT可能性损坏;同样,如果加在IGBT集电*与发射*允许的电压*过集电*-发射*之间的耐压,流过IGBT集电*-发射*的电流*过集电*-发射*允许的*大电流,IGBT的结温*过其结温的允许值,IGBT都可能会性损坏.
FS75R12KT3G

深圳市嘉林电子有限公司*产品。

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