| 品牌/商标 | 长电 | 型号/规格 | A1015 |
| 应用范围 | 放大 | 功率特性 | *率 |
| 频率特性 | 中频 | *性 | NPN型 |
| 结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | TO-92 | 封装材料 | 树脂封装 |
| 截止频率fT | 50（MHz） | 集电**大允许电流ICM | -150M（A） |
| 集电**大耗散功率PCM | 400M（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | * |
*现货供应 三*管A1015
命名：2SA1015 如果叫法省略通常的叫法A1015 1015
2SA1015代换型号：2SA608 管脚排列一是样的
主要参数：
| Symbol*号 | Parameter 参数 | Value数值 | Units单位 |
| VCBO | Collector-Base Voltage 集电*-基*电压 | -60 | V |
| VCEO | Collector-Emitter Voltage 集电*-射*电压 | -50 | V |
| VEBO | Emitter-Base Voltage 射*-基*电压 | -5 | V |
| IC | Collector Current 集电*电流 | -150 | mA |
| IB | Base Current 基*电流 | -50 | mA |
| PC | Collector Power Dissipation 耗散功率 | 400 | mW |
| TJ | Junction Temperature 结温 | 125 | ℃ |
| TSTG | Storage Temperature 贮藏温度 | -65 ~ 150 | ℃ |
电参数：
| Symbol *号 | Parameter 参数 | Test Condition 测试条件 | Min *小 | T* 平均 | Max *大 | Units 单位 |
| BVCBO | Collector-Base Breakdown Voltage集电*-基*击穿电压 | IC= -100μA, IE=0 | -50 | - | - | V |
| BVCEO | Collector-Emitter Breakdown Voltage集电*-发射*击穿电压 | IC= -10mA, IB=0 | -50 | - | - | V |
| BVEBO | Emitter-Base Breakdown Voltage发射*-基*击穿电压 | IE= -10μA, IC=0 | -5 | - | - | V |
| ICBO | Collector Cut-off Current 集电*截止电流 | VCB=60V, IE=0 | - | - | -0.1 | μA |
| IEBO | Emitter Cut-off Current 射* 截止电流 | VEB=5V, IC=0 | - | - | -0.1 | μA |
| hFE1 hFE2 | DC Current Gain直流电流增益 | VCE=6V, IC=2mA VCE=6V, IC=150mA | 70 25 | - | 400 | - |
| VCE(sat) | Collector-Emitter Saturation Voltage集电*-发射*饱和电压 | IC=100mA, IB=10mA | - | -0.1 | -0.3 | V |
| VBE (sat) | Base-Emitter Saturation Voltage 基*-射*饱和电压 | IC=100mA, IB=10mA | - | - | -1.1 | V |
| fT | Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽 | VCE=10V, IC=1mA | 80 | - | - | MHz |
| Cob | Output Capacitance 输出电容 | VCB=10V, IE=0, f=1MHz | - | 4.0 | 7.0 | pF |
| NF | Noise Figure 噪声系数 | VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz | - | 0.5 | 6.0 | db |
放大倍数：
| 后缀*号 | O | Y | GR |
| 放大倍数 | 70-140 | 120-240 | 200-400 |
A1015特性曲线：
静态特性曲线
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