| 品牌/商标 | VISHAY/长电 | 型号/规格 | SI2302 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 10（V） | 夹断电压 | 2（V） |
| *间电容 | 0.1（pF） | 低频噪声系数 | 1（dB） |
| *大漏*电流 | 2（mA） | *大耗散功率 | 1（mW） |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 72 毫欧 @ 3.6A, 4.5V |
| 20V |
| 1.2V @ 50µA |
| 10nC @ 4.5V |
| 3A |
| 237pF @ 10V |
| 1.25W |
| 表面贴装 |
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