IRF2807 概述 

　　IR的HEXFET功率场效应管IRF2807采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF2807这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF2807成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF2807普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF2807得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF2807适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF2807的通孔安装版，适合较低端的应用。 

IRF2807 特性

· *的工艺技术 

· 贴片安装（IRF2807S） 

· 低端通孔安装（IRF2807L） 

· *导通阻* 

· 动态dv/dt率 

· 175℃工作温度 

· 快速转换速率 

· 无铅* 

产品简介

IRF2807，Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 75V, 82A, 13 mOhm, 106.7 nC Qg, TO-220AB

型号标识 / 参数

IRF2807型号标识及主要参数：

封装信息

IRF2807封装信息：
类型：TO-220AB
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF2807包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF2807L，Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 75V, 82A, 13 mOhm, 106.7 nC Qg, TO-262

型号标识 / 参数

IRF2807L型号标识及主要参数：

封装信息

IRF2807L封装信息：
类型：TO-262
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF2807L包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF2807S，Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 75V, 82A, 13 mOhm, 106.7 nC Qg, D2-Pak

型号标识 / 参数

IRF2807S型号标识及主要参数：

封装信息

IRF2807S封装信息：
类型：TO-263(D2-Pak)
引脚：2 leads + tab

包装规格

IRF2807S包装规格：
类型一：Tube（管装）
每管：50 pcs
类型二：Tape&Reel（卷带装）
每盘：800 pcs