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共漏*N沟MOSFET：MEM2308FG场效应管

共漏*N沟MOSFET：MEM2308FG场效应管

共漏*N沟MOSFET：MEM2308FG场效应管

品牌/商标：
MICRONE
型号/规格：
MEM2308FG
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
L/功率放大
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
SENSEFET电流敏感
开启电压：
3-5（V）

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市福田区泽森丰电子经营部

类型：经销商

电话： 755-83013135

联系人：陈楷川

地址：广东深圳中航路都会100大厦B座11N

产品分类

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-05

MEM2308FG系列共漏*N沟道增强型功率场效应管,采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度工艺*适用于减小导通电阻。MEM2308FG使用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

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联系方式

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