FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 21A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 3.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 45nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 4090pF @ 15V
功率 - *大值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
包装 带卷 (TR)

企业名：深圳市广鑫世纪电子有限公司

类型：经销商

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联系人：林爱凤

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