| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRFL014N | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：P-FET硅P沟道 | 开启电压：60（V） |
| 夹断电压：15（V） | 跨导：20（μS） | *间电容：300（pF） |
| 低频噪声系数：35（dB） | *大漏*电流：16（mA） | *大耗散功率：20（mW） |
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